ဘာဖြစ်သလဲled ချစ်ပ်?ဒါဆို သူ့ရဲ့ထူးခြားချက်တွေက ဘာတွေလဲ။LED ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းသည် အဓိကအားဖြင့် ထိရောက်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော အနိမ့်ဆုံး ohmic အဆက်အသွယ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ထုတ်လုပ်ရန်၊ ဆက်သွယ်နိုင်သောပစ္စည်းများကြားတွင် အနည်းငယ်ဗို့အားကျဆင်းမှုကို ဖြည့်ဆည်းရန်၊ ဂဟေကြိုးများအတွက် ဖိအားအကွက်များကို ပံ့ပိုးပေးကာ တတ်နိုင်သမျှ အလင်းထုတ်လွှတ်ရန်ဖြစ်သည်။ရုပ်ရှင်အကူးအပြောင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် ယေဘူယျအားဖြင့် လေဟာနယ်အငွေ့ပျံခြင်းနည်းလမ်းကို အသုံးပြုသည်။4pa မြင့်မားသောလေဟာနယ်အောက်တွင်၊ ပစ္စည်းအား ခုခံမှုအပူပေးခြင်း သို့မဟုတ် အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်ဖြင့် ဗုံးကြဲခြင်းအပူပေးခြင်းနည်းလမ်းဖြင့် အရည်ပျော်သွားပြီး bZX79C18 သည် သတ္တုငွေ့ဖြစ်လာကာ ဖိအားနည်းသောတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် မြှုပ်နှံထားသည်။

ယေဘူယျအားဖြင့်၊ အသုံးပြုထားသော p-type အဆက်အသွယ်သတ္တုတွင် Aube၊ auzn နှင့် အခြားသတ္တုစပ်များ ပါဝင်ပြီး n-side contact metal သည် AuGeNi သတ္တုစပ်ကို လက်ခံလေ့ရှိသည်။လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အဆက်အသွယ်အလွှာနှင့် ထိတွေ့ထားသော အလွိုင်းအလွှာသည် lithography လုပ်ငန်းစဉ်၏ လိုအပ်ချက်များကို ထိရောက်စွာ ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။photolithography လုပ်ငန်းစဉ်ပြီးနောက်၊ ၎င်းသည် H2 သို့မဟုတ် N2 ၏ကာကွယ်မှုအောက်တွင်ပြုလုပ်လေ့ရှိသောသတ္တုစပ်လုပ်ငန်းစဉ်မှတဆင့်လည်းဖြစ်သည်။သတ္တုစပ်သည့်အချိန်နှင့် အပူချိန်ကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများနှင့် အလွိုင်းမီးဖိုပုံစံတို့အပေါ်မူတည်၍ ဆုံးဖြတ်လေ့ရှိသည်။ဟုတ်ပါတယ်၊ အပြာနှင့်အစိမ်းကဲ့သို့သော ချစ်ပ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပိုမိုရှုပ်ထွေးပါက၊ passive ဖလင်ကြီးထွားမှုနှင့် ပလာစမာ etching လုပ်ငန်းစဉ်ကို ထည့်သွင်းရန် လိုအပ်ပါသည်။

LED ချစ်ပ်များ ထုတ်လုပ်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်တွင် မည်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်သည် ၎င်း၏ photoelectric စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် အရေးပါသော အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသနည်း။

ယေဘုယျအားဖြင့်ပြောရလျှင် ပြီး၏။LED epitaxial ထုတ်လုပ်မှု၎င်း၏အဓိကလျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို အပြီးသတ်ခဲ့ပြီး၊ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းသည် ၎င်း၏နျူကလီးယားသဘောသဘာဝကို ပြောင်းလဲမည်မဟုတ်သော်လည်း အပေါ်ယံပိုင်းနှင့် သတ္တုစပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် မလျော်ကန်သောအခြေအနေများသည် အချို့သောဆိုးရွားသောလျှပ်စစ်ဆိုင်ရာဘောင်များကို ဖြစ်စေသည်။ဥပမာအားဖြင့်၊ အနိမ့် သို့မဟုတ် မြင့်မားသော သတ္တုစပ်အပူချိန်သည် ညံ့ဖျင်းသော ohmic အဆက်အသွယ်ကို ဖြစ်စေသည်၊ ၎င်းသည် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ရေးတွင် ရှေ့သို့ဗို့အားကျဆင်းမှု VF ၏ အဓိကအကြောင်းရင်းဖြစ်သည်။ဖြတ်တောက်ပြီးနောက်၊ အချို့သော သံချေးတက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များသည် ချစ်ပ်၏အစွန်းတွင် လုပ်ဆောင်ပါက၊ ၎င်းသည် ချစ်ပ်၏ပြောင်းပြန်ယိုစိမ့်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန် အထောက်အကူဖြစ်စေမည်ဖြစ်သည်။အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် စိန်ကြိတ်ထားသော ဘီးဓါးဖြင့် ဖြတ်တောက်ပြီးနောက်၊ အညစ်အကြေးများနှင့် အမှုန့်များသည် ချစ်ပ်၏အစွန်းတွင် ပိုကျန်နေသောကြောင့်ဖြစ်သည်။၎င်းတို့သည် LED ချစ်ပ်၏ PN လမ်းဆုံတွင် ချိတ်မိပါက၊ ၎င်းတို့သည် လျှပ်စစ်ယိုစိမ့်ပြီး ပြိုကွဲသွားမည်ဖြစ်သည်။ထို့အပြင်၊ ချစ်ပ်မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ photoresist သည် မသန့်ရှင်းပါက၊ ၎င်းသည် ရှေ့ဂဟေဆက်ခြင်းနှင့် မှားယွင်းသောဂဟေဆက်ခြင်းတွင် အခက်အခဲများဖြစ်စေသည်။ကျောဘက်တွင် ရှိနေပါက ဖိအားများ ကျဆင်းသွားနိုင်သည်။ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ မျက်နှာပြင်ကို ကြမ်းတိုက်ပြီး ပြောင်းပြန် trapezoidal တည်ဆောက်ပုံအဖြစ် ပိုင်းခြားခြင်းဖြင့် အလင်းပြင်းအားကို မြှင့်တင်နိုင်ပါသည်။

LED ချစ်ပ်များကို အရွယ်အစားအမျိုးမျိုးသို့ အဘယ်ကြောင့် ပိုင်းခြားသင့်သနည်း။LED ၏ photoelectric စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် အရွယ်အစား၏ သက်ရောက်မှုမှာ အဘယ်နည်း။

LED ချစ်ပ်အရွယ်အစားကို ပါဝါအလိုက် ပါဝါနိမ့်ချစ်ပ်၊ အလယ်အလတ် ပါဝါချစ်ပ်နှင့် ပါဝါအလိုက် ပါဝါမြင့်ချစ်ပ်ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်အရ၊ ၎င်းကို single tube level၊ digital level၊ dot matrix level နှင့် decorative lighting ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ချစ်ပ်၏ တိကျသော အရွယ်အစားနှင့် ပတ်သက်၍ ၎င်းကို မတူညီသော ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်သူများ၏ အမှန်တကယ် ထုတ်လုပ်မှု အဆင့်အလိုက် ဆုံးဖြတ်ထားပြီး တိကျသော လိုအပ်ချက် မရှိပါ။လုပ်ငန်းစဉ်ပြီးဆုံးသရွေ့၊ ချစ်ပ်သည် ယူနစ်၏အထွက်ကို တိုးတက်စေပြီး ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချနိုင်ပြီး၊ ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်မှုသည် အခြေခံအားဖြင့် ပြောင်းလဲမည်မဟုတ်ပါ။ချစ်ပ်၏အသုံးပြုမှုလျှပ်စီးကြောင်းသည် အမှန်တကယ်ပင် ချစ်ပ်မှတဆင့်စီးဆင်းနေသောသိပ်သည်းဆနှင့် ဆက်စပ်နေသည်။ချစ်ပ် သေးငယ်သောအခါ၊ အသုံးပြုမှု လျှပ်စီးကြောင်း သေးငယ်ပြီး ချစ်ပ်ပြား ကြီးသောအခါ၊ အသုံးပြုမှု လျှပ်စီးကြောင်း ကြီးမားသည်။၎င်းတို့၏ ယူနစ်လက်ရှိသိပ်သည်းဆသည် အခြေခံအားဖြင့် တူညီသည်။မြင့်မားသော လျှပ်စီးကြောင်းအောက်တွင် အပူငွေ့ပျံခြင်းသည် အဓိကပြဿနာဖြစ်သည်ဟု ယူဆပါက ၎င်း၏ တောက်ပသော စွမ်းဆောင်ရည်သည် low current ထက် နိမ့်ပါသည်။အခြားတစ်ဖက်တွင်၊ ဧရိယာတိုးလာသည်နှင့်အမျှ ချစ်ပ်၏ကိုယ်ထည်ခံနိုင်ရည်မှာ လျော့နည်းလာသောကြောင့် ရှေ့သို့ဗို့အား လျော့နည်းသွားမည်ဖြစ်သည်။

LED စွမ်းအားမြင့် ချစ်ပ်၏ ဧရိယာသည် အဘယ်နည်း။အဘယ်ကြောင့်?

စွမ်းအားမြင့် ချစ်ပ်များကို ဦးဆောင်သည်။အဖြူရောင်အလင်းများအတွက်ယေဘုယျအားဖြင့်စျေးကွက်တွင်သန်း 40 ခန့်ရှိသည်။ပါဝါမြင့်ချစ်ပ်များ၏ အသုံးပြုမှုပါဝါဟု ခေါ်သော ယေဘုယျအားဖြင့် 1W ထက်ပိုသော လျှပ်စစ်စွမ်းအားကို ရည်ညွှန်းသည်။ကွမ်တမ်ထိရောက်မှုမှာ ယေဘူယျအားဖြင့် 20% ထက်နည်းသောကြောင့် လျှပ်စစ်စွမ်းအင်အများစုကို အပူစွမ်းအင်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် ပါဝါမြင့်ချစ်ပ်များ၏ အပူကို စွန့်ထုတ်ခြင်းသည် အလွန်အရေးကြီးပြီး ချစ်ပ်သည် ကြီးမားသောဧရိယာရှိရန် လိုအပ်ပါသည်။

ကွာဟမှု၊ GaAs နှင့် InGaAlP တို့နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက GaN epitaxial ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ချစ်ပ်နည်းပညာနှင့် စီမံဆောင်ရွက်သည့် စက်ပစ္စည်းများ၏ မတူညီသော လိုအပ်ချက်များမှာ အဘယ်နည်း။အဘယ်ကြောင့်?

သာမာန် LED အနီရောင်နှင့် အဝါရောင် ချစ်ပ်ပြားများနှင့် တောက်ပသော Quad အနီရောင်နှင့် အဝါရောင် ချစ်ပ်ပြားများကို gap နှင့် GaAs ကဲ့သို့သော ဒြပ်ပေါင်း semiconductor ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် n-type အလွှာအဖြစ် ပြုလုပ်နိုင်သည်။စိုစွတ်သောလုပ်ငန်းစဉ်ကို ပုံသဏ္ဍာန်အတွက်အသုံးပြုပြီး၊ ထို့နောက် ချစ်ပ်ကိုဖြတ်ရန်အတွက် စိန်ကြိတ်ထားသောဘီးကို အသုံးပြုသည်။GaN ပစ္စည်း၏ စိမ်းပြာရောင်ချစ်ပ်သည် နီလာအလွှာတစ်ခုဖြစ်သည်။နီလာအလွှာကို လျှပ်ကာထားသောကြောင့် LED မီးတိုင်တစ်ခုအဖြစ် အသုံးမပြုနိုင်ပါ။ခြောက်သွေ့သော etching လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် passivation လုပ်ငန်းစဉ်အချို့ကို တစ်ချိန်တည်းတွင် epitaxial မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် p/N လျှပ်ကူးပစ္စည်းပြုလုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။နီလာသည် အလွန်မာကျောသောကြောင့် စိန်ကြိတ်ထားသော ဘီးဓါးဖြင့် ချစ်ပ်ပြားများဆွဲရန် ခက်ခဲသည်။၎င်း၏နည်းပညာဆိုင်ရာလုပ်ငန်းစဉ်သည် ကွာဟချက်နှင့် GaAs ပစ္စည်းများဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော LED ထက် ယေဘုယျအားဖြင့် ပို၍ရှုပ်ထွေးပါသည်။

"ပွင့်လင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း" ချစ်ပ်၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ဝိသေသလက္ခဏာများကားအဘယ်နည်း။

Transparent Electrode ဟုခေါ်သော လျှပ်ကူးမှုနှင့် ဖောက်ထွင်းမြင်နိုင်မှု ရှိသင့်သည်။ဤပစ္စည်းကို အရည်ပုံဆောင်ခဲ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုလာပါသည်။၎င်း၏အမည်မှာ ITO ဟု အတိုကောက်ခေါ်သော အင်ဒီယမ်သံဖြူအောက်ဆိုဒ်၊ သို့သော် ၎င်းကို ဂဟေထုပ်အဖြစ် အသုံးမပြုနိုင်ပါ။ဖန်တီးနေစဉ်အတွင်း၊ ချစ်ပ်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ohmic electrode ကိုပြုလုပ်ရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့နောက် ITO အလွှာကို မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ဖုံးအုပ်ကာ၊ ထို့နောက် ဂဟေဆော်သည့်အလွှာကို ITO မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ချထားသည်။ဤနည်းအားဖြင့်၊ ခဲမှလျှပ်စီးကြောင်းကို ITO အလွှာမှတဆင့် ohmic contact electrode တစ်ခုစီသို့ အညီအမျှ ဖြန့်ဝေသည်။တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ITO ၏အလင်းယပ်ညွှန်းကိန်းသည် လေနှင့် epitaxial ပစ္စည်းများ၏ အလင်းယပ်ညွှန်းကိန်းကြားတွင် ရှိနေသောကြောင့်၊ အလင်းထောင့်ကို မြှင့်တင်နိုင်ပြီး တောက်ပသောအတက်အကျကို တိုးလာနိုင်သည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာအလင်းရောင်အတွက် chip နည်းပညာ၏ပင်မရေစီးကြောင်းကဘာလဲ။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ LED နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ အလင်းရောင်နယ်ပယ်တွင် ၎င်း၏အသုံးချမှုမှာ ပိုမိုများပြားလာကာ အထူးသဖြင့် အဖြူရောင် LED ပေါ်ထွန်းလာမှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအလင်းရောင်၏ နွေးထွေးသောနေရာတစ်ခု ဖြစ်လာခဲ့သည်။သို့သော်လည်း သော့ချပ်ချပ်နှင့် ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာကို မြှင့်တင်ရန် လိုအပ်သည်။ချစ်ပ်၏စည်းကမ်းချက်များအရ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် မြင့်မားသောပါဝါ၊ မြင့်မားသောအလင်းရောင်ထိရောက်မှုနှင့် အပူခံနိုင်ရည်ကို လျှော့ချရန် ဦးတည်သင့်သည်။ပါဝါတိုးလာခြင်းသည် ချစ်ပ်၏အသုံးပြုမှုအား တိုးလာသည်ဟု ဆိုလိုသည်။ပိုမိုတိုက်ရိုက်နည်းလမ်းမှာ ချစ်ပ်အရွယ်အစားကို တိုးမြှင့်ရန်ဖြစ်သည်။ယခုအခါတွင် အသုံးများသော ပါဝါမြင့်ချစ်ပ်များသည် 1mm × 1mm သို့မဟုတ် ထို့ထက်သာလွန်ပြီး လည်ပတ်နေသော Current မှာ 350mA ဖြစ်သောကြောင့် အသုံးပြုနေသော လက်ရှိ တိုးလာခြင်းကြောင့် အပူ dissipation ပြဿနာသည် ထင်ရှားသော ပြဿနာတစ်ခု ဖြစ်လာခဲ့သည်။ယခု ဤပြဿနာကို အခြေခံအားဖြင့် chip flip နည်းလမ်းဖြင့် ဖြေရှင်းနိုင်ပါပြီ။LED နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ ၎င်း၏ အလင်းရောင်နယ်ပယ်တွင် ၎င်း၏ အသုံးချမှုမှာ မကြုံစဖူး အခွင့်အလမ်းနှင့် စိန်ခေါ်မှုကို ရင်ဆိုင်ရမည်ဖြစ်သည်။

Flip Chip ဆိုတာ ဘာလဲ။၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံကဘာလဲ။သူ့ရဲ့အားသာချက်တွေက ဘာတွေလဲ။

အပြာရောင် LED သည် များသောအားဖြင့် Al2O3 အလွှာကို လက်ခံသည်။Al2O3 အလွှာသည် မြင့်မားသော မာကျောပြီး အပူစီးကူးမှု နည်းပါးသည်။တရားဝင်ဖွဲ့စည်းပုံကိုလက်ခံပါက၊ တစ်ဖက်တွင်၊ ၎င်းသည် တည်ငြိမ်မှုဆန့်ကျင်ရေးပြဿနာများကို ဆောင်ကျဉ်းပေးလိမ့်မည်။တစ်ဖက်တွင်မူ မြင့်မားသော လျှပ်စီးကြောင်းအောက်တွင် အပူပျံ့ခြင်းသည်လည်း ပြဿနာကြီးတစ်ခု ဖြစ်လာပေလိမ့်မည်။တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ရှေ့လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် အပေါ်ဘက်သို့ ရောက်နေသောကြောင့်၊ အလင်းအချို့ ပိတ်ဆို့သွားမည်ဖြစ်ပြီး တောက်ပသည့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို လျော့ကျသွားမည်ဖြစ်သည်။ပါဝါမြင့်မားသော အပြာရောင် LED သည် သမားရိုးကျ ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာထက် chip flip chip နည်းပညာဖြင့် ပိုမိုထိရောက်သော အလင်းရောင်ကို ရရှိနိုင်သည်။

လက်ရှိတွင်၊ ပင်မ flip ချစ်ပ်ဖွဲ့စည်းပုံနည်းလမ်းမှာ- ဦးစွာ၊ eutectic welding electrode ပါသော အရွယ်အစားကြီးမားသော အပြာရောင် LED ချစ်ပ်ပြားကို ပြင်ဆင်ပါ၊ အပြာရောင် LED ချစ်ပ်ထက် အနည်းငယ်ပိုကြီးသော ဆီလီကွန်အလွှာကို ပြင်ဆင်ပါ၊ ရွှေလျှပ်ကူးအလွှာကို ပြုလုပ်ကာ ဝါယာကြိုးအလွှာကို ပို့ဆောင်ပါ ( ၎င်းတွင် eutectic ဂဟေဆော်ရန်အတွက် ultrasonic ရွှေဝါယာဘောလုံးဂဟေအဆစ်။ထို့နောက် ပါဝါမြင့်သော အပြာရောင် LED ချစ်ပ်နှင့် ဆီလီကွန်အလွှာကို eutectic ဂဟေဆက်သည့်ကိရိယာများဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသည်။

ဤဖွဲ့စည်းပုံ၏ထူးခြားချက်မှာ epitaxial အလွှာသည် ဆီလီကွန်အလွှာနှင့် တိုက်ရိုက်ထိတွေ့နေရသောကြောင့်၊ ဆီလီကွန်အလွှာ၏ အပူခံနိုင်ရည်မှာ နီလာအလွှာထက် များစွာနိမ့်ကျသောကြောင့် အပူ dissipation ပြဿနာကို ကောင်းစွာဖြေရှင်းနိုင်သည်။ညှပ်တပ်ဆင်ပြီးနောက် နီလာအလွှာသည် အပေါ်ဘက်သို့ မျက်နှာမူထားသောကြောင့် ၎င်းသည် အလင်းထုတ်လွှတ်သော မျက်နှာပြင်ဖြစ်လာကာ နီလာသည် ပွင့်လင်းမြင်သာမှုရှိသောကြောင့် အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ပြဿနာကိုလည်း ဖြေရှင်းနိုင်မည်ဖြစ်သည်။အထက်ပါအချက်များသည် LED နည်းပညာဆိုင်ရာ ဗဟုသုတများဖြစ်ပါသည်။သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ အနာဂတ် LED မီးချောင်းများသည် ပိုမိုထိရောက်လာပြီး ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုလည်း အလွန်တိုးတက်စေမည်ဟု ယုံကြည်ပါသည်။